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              【會議】2021年戰略稀散金屬論壇在湖北武漢召開

              2021-11-29 13:17:55 來源: 瀏覽次數:0

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              為了更好地踐行服務政府、服務經濟社會發展、服務企業的宗旨,推動稀散金屬產業健康發展,11月25日-26日,由中國有色金屬工業協會主辦的以“戰略稀散金屬材料技術發展與應用”為主題的2021年戰略稀散金屬論壇在湖北武漢召開。會議吸引了140余名稀散金屬行業代表參會,集成創新資源,形成創新合力,暢談稀散金屬行業發展市場前景。

              中國有色金屬工業協會黨委常委、副會長段德炳,湖北省鄂州市黨組成員、副市長盧輝,武漢拓材科技有限公司董事長盧鵬薦出席論壇開幕式并致辭;英國國際小金屬貿易協會(MMTA)主席唐娜·沃爾什通過視頻致辭。中國有色金屬工業協會副秘書長兼稀有稀土金屬咨詢與協調部主任胡德勇主持論壇開幕式。

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              中國有色金屬工業協會黨委常委、副會長段德炳致辭

              開幕式上,段德炳簡要介紹了我國有色金屬行業前三季度市場運行情況。他表示,稀散金屬是有色金屬的重要組成部分,具有品種多、應用范圍廣、戰略地位高等特點,是國防科技和戰略新興產業發展的關鍵支撐材料,在航空航天、電子信息和新能源等領域中發揮著重要作用。

              段德炳表示,協會黨委書記、會長葛紅林在稀散金屬分會成立大會上提出的“四個高度重視”值得稀散金屬行業企業重點關注和深刻領會。為此,段德炳談了四點認識。一是稀散金屬行業要凝心聚力,加強團結協作,加快推動全行業高質量發展步伐。二是要深刻認識創新驅動的重大意義,把握好產業發展的核心競爭力。三是要順應綠色發展趨勢,在推動實現“雙碳”目標上展現新作為。四是要注重風險防控,筑牢高質量發展的安全堤壩。

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              中國有色金屬工業協會副秘書長兼稀有稀土金屬咨詢與協調部主任胡德勇主持論壇開幕式

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              湖北省鄂州市黨組成員、副市長盧輝致辭

                盧輝在致辭中指出,稀散金屬具有極為重要的用途,是當代高科技新材料的重要組成部分。鄂州市委市政府在戰略新興產業發展、科技成果轉化方面均開展了許多有益的探索和實踐,相繼出臺了《關于加強科技創新的若干意見》《關于加快科技強市建設的實施方案》,實施了《鄂州市“333”高層次創新創業人才計劃》等政策,實現了全市高新技術企業、科技型中小企業數量翻番。通過整合各類資源,對重大科技成果轉化項目實施“一事一議”政策,配套土地、資金、項目、金融等方面支持,有效地促進多項科技成果轉化項目落戶鄂州。

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              武漢拓材科技有限公司董事長盧鵬薦致辭

              盧鵬薦表示,新材料產業是國家大力發展的戰略性新興產業和《中國制造2025》十大重點發展領域之一,而高純金屬材料提純技術,更是成為制約國家半導體材料,特別是軍用關鍵材料“卡脖子”和禁運問題的核心。下一步,武漢拓材將繼續在中國有色金屬工業協會的帶領下,不斷改革創新,努力打破國外核心技術材料封鎖,實現關鍵材料的國有化。

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              英國國際小金屬貿易協會(MMTA)主席唐娜·沃爾什通過視頻致辭

              唐娜·沃爾什女士在視頻致辭中指出,稀散金屬市場在全球商業中發揮著重要的作用,被廣泛應用于各種終端用途,從消費電子產品的電容器、可充電電池的金屬陰極,再到光伏太陽能電池和半導體材料都有著充分的體現,很高興MMTA能夠繼續與中國有色金屬工業協會保持合作關系。

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              武漢理工大學教授白玉作主題報告

              開幕式主題報告環節,武漢理工大學教授白玉作《中美關系對我國經濟的深刻影響及其發展對策》主題報告。主題報告從25日開始,貫穿整個大會,主題覆蓋行業應用、技術發展、市場前景、工業實踐等方面,全方位打通業內各品種間的關聯環節,引導推動稀散金屬行業高質量發展。盧鵬薦、成都中建材光電材料有限公司總經理潘錦功、揚州寧達貴金屬有限公司總經理樊紅杰、中國電子科技集團公司第十三研究所孫聶楓、隆華科技集團靶材事業部總經理張雪鳳、中錸新材料有限公司董事長扶元初、國信證券公司有色金屬首席分析師劉孟巒、有研資源環境技術研究院(北京)有限公司王良士、阿格斯稀有金屬市場分析師安德魯·迪塞爾等十余位行業專家和第三代半導體產業技術創新戰略聯盟,分別圍繞“高純金屬市場發展前景”“碲化鎘光伏一體化在中國的進展”“鍺高純材料制備關鍵技術及應用”“國內外磷化銦生產技術和應用進展”“ITO靶材在異質結太陽能電池的應用進展”“有關錸產業發展和工業實踐的一些看法”“全球銫銣資源與市場前景”“我國鎵行業發展現狀”“全球鉍、硒、碲、錸市場分析”“第三代半導體的發展與應用進度”等內容展開探討。

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